AI算力需求持续爆发，存储芯片供应紧张正成为制约人工智能基础设施扩张的重要瓶颈，全球最大芯片代工厂台积电也开始考虑向存储制造领域延伸。

　　据媒体周五报道，台积电近期开始制定先进存储芯片生产计划，考虑制造一种名为3D DRAM的新型存储芯片。这一计划据称是应其最大客户英伟达的要求而启动的，旨在扩大台积电在AI硬件供应链中的业务份额。

　　知情人士称，台积电正在评估新建工厂或收购现有半导体工厂并改造为存储芯片生产设施两种方案，目前尚未明确量产时间。该项目由负责台积电先进封装业务的副总裁徐国晋牵头。

　　长期以来，台积电主要为英伟达、苹果等客户代工逻辑芯片，并通过CoWoS等先进封装技术，将GPU等AI芯片与高带宽存储器(HBM)集成在同一封装中，以提升数据传输效率。存储芯片制造则主要由三星电子、SK海力士和美光科技主导。

　　此次台积电考虑布局的3D DRAM，通过垂直堆叠存储单元提高存储密度，有望成为下一代DRAM技术的发展方向。

　　如果计划落地，台积电将从芯片代工和先进封装进一步延伸至存储制造，直接参与AI硬件供应链中日益重要的存储环节。

　　AI需求激增加剧存储供应紧张

　　台积电考虑跨界布局的背后，是AI产业扩张带来的存储芯片供需失衡。随着英伟达等厂商不断推出更强大的AI加速器，数据中心对HBM和服务器DRAM的需求快速增长。由于HBM生产需要占用大量先进DRAM产能，存储厂商纷纷将资源向高附加值产品倾斜，进一步加剧供应紧张。

　　在存储价格上涨、供应受限的背景下，英伟达等大型芯片买家正积极寻找额外供应渠道。若台积电进入先进存储制造领域，将有望增加供应来源，缓解对现有存储厂商的依赖。

　　存储制造商也在加快扩产。美光今年3月宣布以18亿美元收购力积电的一座工厂，计划将其改造为DRAM生产设施，预计2027年下半年开始形成有意义的晶圆产出。

　　不过，台积电进入存储市场并非没有挑战。三星电子、SK海力士和美光在DRAM领域拥有成熟的生产体系和规模优势，台积电若决定入局，将直接面对这些长期占据市场主导地位的竞争对手。

　　此外，存储芯片行业具有明显的周期性特征，价格上涨往往刺激厂商扩产，随后可能引发供应过剩。台积电需要权衡AI需求增长的持续性，以及大规模资本投入可能带来的风险。