10月DRAM合约均价再创历史新高，机构预计涨价周期仍将延续，多只绩优超跌的存储芯片概念股近期获机构扎堆调研。 　　Q4 DRAM价格或继续上涨

　　集邦咨询旗下DRAMeXchange最新数据显示，10月通用型DRAM产品(DDR4 8Gb 1Gx8)平均合约价格达到27.5美元，较上月26美元环比上涨5.77%，再度刷新历史新高，较2016年6月开始追踪统计时的2.9美元，累计涨幅约8.5倍。

　　集邦咨询预测，今年第四季度PC DRAM合约价将环比上涨13%-18%。该机构同时预计，韩国DRAM厂商明年的PC DRAM产量将较今年下滑20%以上。

　　海外原厂业绩印证景气。SK海力士第三季度实现营收104.6万亿韩元、营业利润83.3万亿韩元，营业利润率约80%，双双刷新纪录；公司已与14家核心客户签署长期协议，锁定超过一半的2027年及2028年产能，并判断存储供不应求可能延续至2030年。

　　三星电子第三季度存储业务收入和营业利润也双双创下新高。

　　国产存储同样表现亮眼。长鑫科技前三季度实现营业收入2690.24亿元，同比增长738.51%；归母净利润1320.40亿元，较去年同期巨亏实现扭亏为盈，第三季度毛利率高达89.53%。

　　公司第六代工艺平台4F2垂直沟道DRAM架构已完成工程样片验证，对应首代DDR5 RDIMM产品预计2026年底送样。

　　存储行业从涨价弹性转向业绩兑现

　　存储芯片是用于数据保存与读取的半导体器件，主要包括DRAM和NAND Flash两大类。当前，AI服务器对HBM和服务器DRAM的结构性吞噬，叠加原厂将先进产能优先投向高端产品，通用存储供给持续收缩，行业景气度不断上行。

　　申万宏源表示，半导体存储量价齐升，推理端DRAM供不应求，价格站上近三年高位，是算力产业链中景气度最确定的方向之一。

　　天风证券指出，本轮存储景气改善并非单一终端库存驱动，而是需求结构变化、供给扩张趋于理性以及产业链库存周期修复共同作用的结果；随着AI算力建设持续推进，高端存储需求的重要性进一步提升，建议关注存储模组、存储主控芯片、封测及上游设备材料等方向。

　　国盛证券认为，存储链正由"涨价弹性"交易转向"业绩兑现"交易，建议关注国产存储龙头，以及存储扩产受益链条上的半导体测试设备、存储材料、模组配套等环节。

　　机构紧盯多只超跌绩优概念股

　　东方财富概念板块显示，目前A股市场有143股涉及存储芯片概念，合计总市值约9.33万亿元。长鑫科技、中芯国际、北方华创、海康威视、华虹宏力体量位居前五。

　　业绩端，已披露三季报的141只存储芯片概念股中，121股前三季度实现盈利，97只净利润同比实现正增长。

　　具体而言，长鑫科技前三季度归母净利润达1320.40亿元，同比增长26倍；江波龙净利143.22亿元，同比增长超19倍；兆易创新净利110.66亿元，同比增长超9倍；德明利、佰维存储净利同比增幅均超280倍。

　　进一步看，在上述业绩增长的个股中，最新价较年内高点回撤超50%，且近一个月获得机构调研的共17股。

　　其中，协创数据获285家机构扎堆调研，精智达、华润微分别获188家、150家机构关注，聚辰股份、深南电路、广合科技机构调研家数均在100家以上，江波龙、东芯股份、西安奕材、兆易创新等也获机构密集关注。

　　协创数据本周接受机构调研时给出明确判断：DDR非常短缺，因HBM占用大量产能，未来至少3年涨价趋势不变，最近报价已提高30%且被接受；

　　Flash相对较弱，扩产较易，HBM供应不足导致需求偏弱，消费类Flash已降价；HDD稳定偏强，希捷和西部数据坚持不扩产，但因冷/温数据存储刚需在，价格坚挺稳步上涨。

　　东芯股份在10月下旬与投资者交流时透露，三季度以来，公司各品类存储产品的市场价格走势呈现分化。DRAM的供需缺口相对更大，短期供给端难以快速改善，价格预计维持一定上涨趋势。

　　大容量Flash，包括NAND和NOR，由于AI服务器等高端场景对高可靠、大容量存储的需求持续向好，长期成长逻辑支撑价格仍有上行空间；小容量NAND价格基本保持平稳，小容量NOR市场价格承压、存在松动迹象。